图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 4.1 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 45µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 56nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4500pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 94W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 80 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.0041 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TO-263 |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 4.8 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 94 W |
| 上升时间 | 3.8 ns |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 零件号别名 | IPB041N04NGATMA1 IPB041N04NGXT SP000391511 |
| 寿命 | End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. |
| P（ TOT ） | 94W |
| 匹配代码 | IPB041N04N G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 1.6K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TO263-3 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 13 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 42nC |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 40V |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0041Ohm |
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